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Leak: Snapdragon 835 Randdetails
Letzte Woche wurde auf einem Event von Samsung der Snapdragon 835 als Nachfolger des Snapdragon 821 bestätigt. Der neue Chipsatz wird mit 10nm gefertigt und soll eine deutlich höhere Leistung bei drastisch reduziertem Energieverbrauch bieten. Konkrete Details zum Prozessor wurden bisher aber nicht preis gegeben.
Aus China kommt nun ein Leak, welcher angeblich einige Randspezifikationen des Snapdragon 835 enthält. Glaubt man der Tabelle, so basiert der Snapdragon 835 wieder auf 8 Rechenkernen, wie einst der Snapdragon 810. So sollen hier zweimal 4 Kryo Kerne zum Einsatz kommen, sehr Wahrscheinlich in einem big.LITTLE Setup. Bei der GPU soll es sich um eine Adreno 540 handeln.
Weiterhin soll der Snapdragon 835 Unterstützung für 4-Kanal LPDDR4 RAM mit 1866MHz Takt sowie UFS 2.1 Speicher bieten. Das Modem soll Cat 16 LTE unterstützen. Theoretisch ist damit ein Downstream von 1Gbit pro Sekunde möglich. Vermutlich wird der Chip erstmals im Samsung Galaxy S8 zum Einsatz kommen, welches zum MWC 2017 vorgestellt werden wird.
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