Samsung Ende 2016 / Anfang 2017 mit 10nm Halbleiter

Man kann noch so Technikbegeistert sein, irgendetwas entgeht einem immer, denn es tut sich einfach verdammt viel. So z.B. auch, dass im Moment mit der "International Solid-State Circuits Conference" ein Treffen großer Halbleiterhersteller stattfindet, auf der diese ihre Neuerungen präsentieren. Auch Samsung ist dort vertreten und hat ganz überraschend für eine "kleine große Sensation" gesorgt.

Noch vor kurzem war allgemein als Sensation akzeptiert, dass es endlich möglich ist, Prozessoren mit 14nm Strukturbreite auf Basis von FinFET Transistoren herzustellen. Intel war in diesem Bereich der Vorreiter. Auch im Mobilbereich wird eifrig verkleinert, und so ist man dort kürzlich bei 16nm Strukturbreite angelangt, was den Verdiensten von Huawei geschuldet ist. Doch die Entwicklungen hin zu immer kleineren Strukturbreiten hören (zum Glück) nicht auf, auch wenn sich der Großteil heutiger Chipsätze im Mobilbereich noch jenseits der 20nm Grenze bewegt.

Samsung ist nun das Unternehmen, welches alle abhängt. Auf der zu Beginn genannten Konferenz wurde bekanntgegeben, dass man einen Fertigungsprozess für Halbleiter mit 10nm Strukturbreite auf Basis von FinFET Transistoren entwickelt hat. Im Endeffekt bedeutet dies, dass künftig noch sparsamere Chips mit noch weniger Abwärme bei höherer Leistung gebaut werden können. Die ersten Chips auf Basis dieser neuen Technologie sollen gegen Ende 2016 bis Anfang 2017 auf den Markt kommen.

Quelle: Sammobile